[发布日期：2025-11-24 13:48:39] 点击：
自诞生以来，SAW滤波器伴随无线通信的发展不断迭代，其封装技术经历了显著的微型化与集成化演进，主要可分为以下五个阶段：
1. 金属/陶瓷封装(1970s-1980s)：
o 采用金属密封外壳。关键工艺包括：点银胶(Ag Epoxy)→ 芯片贴装(Die Bond)→ 引线键合(Wire Bond)→ 加盖密封(金属保护盖)。
o 特点：体积较大，但可靠性高(气密性和散热性好)，适用于军工和航天领域。
o ELT技术贡献：在点银胶后的除泡固化环节，其PIS系列除泡系统采用独特的“压力+无氧”技术，有效降低银胶层的孔隙率(特别是在贴装后的BLT厚度和Bleed out溢胶区域)，从而提升器件可靠性。
2. 表面贴装器件(SMD)封装(1990s-2000s)：
o 采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术实现表面贴装，尺寸显著缩小至约5mm×5mm级别。
o 核心工艺：点银胶→芯片正装贴片(Die Bond)→引线键合(Wire Bond)→加盖密封(陶瓷基板+金属盖)。
o 特点：相比早期封装，在尺寸、性能和可靠性上均有提升。
o ELT技术贡献：在点银胶后的除泡固化工艺中，有效降低银胶层的孔隙率。
3. 芯片尺寸封装(CSP)(2000s至今)：
o 技术驱动：一方面，正装+金属盖的空腔结构对进一步微型化构成挑战;另一方面，模塑(Molding)封装虽能降低成本(推动2G/3G手机普及)，但环氧树脂易溢流污染IDT区域。
o 解决方案：引入倒装芯片(Flip Chip)技术。将SAW芯片倒装贴装至陶瓷或树脂基板载体上，再通过特殊工艺(如Mold Sheet)形成空腔结构后进行模塑封装。
o 特点：倒装焊接实现内部连接，高度集成和小型化设计满足现代电子产品需求。
o ELT技术贡献：在倒装后的模塑固化环节，其WVL系列真空贴压膜系统采用创新的真空压膜工艺。该工艺使用特殊厚度的“平面式”Mold Sheet塑封料覆盖芯片，精确形成空腔结构，有效防止塑封料溢流污染IDT区域。真空贴压膜系统通过优化压膜质量，确保塑封层填充完整(无空洞)并精确控制溢流区尺寸，提升可靠性。
4. 晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)/扇出型晶圆级封装(FOWLP)(2010s至今)：
o 技术驱动：4G LTE多频段需求激增，要求滤波器高密度集成。
o 技术路线：
§ 扇入型WLCSP：直接以压电晶圆(LiTaO₃/LiNbO₃)为载体，采用光刻干膜构建Wall(“墙”)和Roof(“屋顶”)形成空腔，结合光刻开孔和凸点(Bumping)工艺完成封装。封装尺寸接近裸片(Die)，无需额外基板。
§ 扇出型FOWLP：以硅(Si)晶圆为载体，通过倒装贴装SAW芯片，再采用真空压膜将干膜贴附至芯片背面形成共构结构，最后进行模塑(C-Molding)。
o 特点：晶圆级加工，显著提升集成度和生产效率，降低成本。
o ELT技术贡献：在WLCSP封装中，WVL系列系统精确实现Wall(要求紧密贴合、无空洞)和Roof(要求平整无塌陷、连接无空隙)两次差异化的真空压膜工艺，成功构建光刻干膜空腔。在FOWLP封装中，其创新的压膜方式确保倒装芯片后形成稳定的干膜共构结构，并在后续C-Molding后保持结构完整，保障产品可靠性。
5. 2.5D先进封装(2020s至今)：
o 技术驱动：应对5G Sub-6GHz高频段(如n77/n79)、毫米波及未来6G太赫兹通信对高频低损耗、超小型化、多模集成的需求。
o 关键技术：利用硅或玻璃中介层(Interposer)实现高密度互连(HDI)和异质集成。核心工艺：在中介层制作硅通孔/玻璃通孔(TSV/TGV)→ 制作再布线层(RDL)→ SiO₂- Wall和铜焊盘(Cu Pad)→ 整体以中介层为Roof → 通过晶圆对晶圆(Wafer-to-Wafer, W2W)混合键合(Hybrid Bonding)技术直接与SAW晶圆键合，一步形成空腔结构。
o 特点：突破传统封装瓶颈，实现高密度互连、优异高频性能和系统级集成。
o ELT技术贡献：其真空贴压膜系统在2.5D封装多个关键制程中发挥作用：在中介层TSV/TGV制程中实现光刻干膜无缺陷贴附和高深宽比孔洞绝缘填充;在RDL和Bumping制程中用于光刻干膜制作线路、SiO₂-Wall结构和Cu Pad;在W2W/ C2W混合键合中有效消除应力，缓解晶圆/芯片的翘曲，确保退火前两者的紧密接触等。真空贴压膜系统独特的软性热压结构与工艺参数适配SAW滤波器2.5D封装全流程需求。
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