引线元件通孔插装(THT)与表面贴装(SMT)共存的贴插混装工艺，是当前电子产品生产中采用最普遍的一种组装方式。在整个生产工艺流程中，印刷电路板(PCB)其中一面元件从开始进行点胶固化后，到了最后才能进行波峰焊焊接，这期间间隔时间较长，而且进行其他工艺较多，元件的固化就显得尤为重要，因而对于点胶工艺的研究分析有着重要意义。 SMT贴片加工胶水及其技术要求 SMT中使用的胶水主要用于片式元件…
查看详情 流体点胶是一种以受控的方式对流体进行精确分配的过程，它是微电子封装行业的关键技术之一。目前，点胶技术逐渐由接触式点胶向无接触式(喷射)点胶技术转变。本文从微电子封装过程的应用出发，对点胶技术的发展进行了概述;在对比各种点胶方式的同时，重点介绍了无接触式喷射点胶技术，以及其中所涉及的关键技术，并提出了评价点胶品质的标准。 流体点胶技术是微电子封装中的一项关键技术，它可以构造形成点、线、面(涂敷…
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智能时代，芯片在麻豆视频在线的生活中无所不在，一颗芯片的诞生，需要经过晶圆制造和芯片成品制造两大阶段。 晶圆制造过程非常复杂，需要经历曝光、蚀刻、离子注入、金属填充、研磨等一系列步骤后，晶圆上的集成电路才能最终成型。 然而晶圆本身是“脆弱”且“封闭”的，无法直接使用，只有经过封装和测试流程，才能最终生产出独立、连通、可靠的芯片成品。 那么，芯片究竟是怎样被封装的呢? 麻豆视频在线首先介绍一种技术成熟、…
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韩国《首尔经济日报》表示，尽管明年全球经济将放缓，三星电子仍计划明年在其最大半导体工厂增加芯片产能。据称，三星 2023 年存储器和系统半导体的晶圆产能提高约 10%。 业内消息人士称，三星电子将在位于韩国平泽的 P3 工厂增加 DRAM 设备，12 英寸晶圆月产能可达 7 万片，明年将把 P3 代工晶圆产能提高 3 万片(共 10 万)，高于目前 P3 厂 DRAM 产线的每月 2…
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毛细管底部填充(CUF)工艺与塑封底部填充(MUF)工艺对比 传统底部填充料中二氧化硅等填料的质量含量一般在 50%~70%之间，而塑封底部填充料申二氧化硅的质量含量高达 80%。同时因为工艺的特点，塑封底部填充料要求一氧化硾的尺寸更小。塑封底部填充技术与传统底部填充技术相比，对工艺进行了简化，同时提高了生产效率及封装的可靠性，可以满足不断发展的市场整体产品需求。 整道Underfil…
查看详情 近几个月，全球领先的集成电路制造和技术服务提供商长电科技宣布，公司在先进封测技术领域又取得新的突破，实现4纳米(nm)工艺制程手机芯片的封装，以及CPU、GPU和射频芯片的集成封装。 4纳米芯片是5纳米之后、3纳米之前*先进的硅节点技术，也是导入小芯片(Chiplet)封装的一部分。作为集成电路领域的顶尖科技产品之一，4纳米芯片可被应用于智能手机、5G通信、人工智能、自动驾驶，以及包括GPU…
查看详情 硅锭直径从20世纪50年代初期的不到25mm增加到现在的300mm，硅片直径的历史发展趋势如图所示。 目前生产直径为75mm、100mm、125mm和150mm的硅片的设备仍在使用中，由于把设备升级成能生产更大直径的硅片需要花费上亿美元，所以最常见的做法是在建设新工厂时才引入新的硅片直径。在2000年左右，半导体产业开始转向300mm直径的硅片，进而把对硅片直径的评估测试已经提高到400mm…
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以Underfill为例，在CSP、BGA、POP、Flip chip等工艺中中底部填充是封装技术中关键的工艺流程之一。简单来说，底部填充工艺(underfill)是将环氧树脂胶水点涂在倒装晶片边缘，液体通过气液界面处的毛细作用渗透到狭窄的间隙中，这一过程称为微毛细管流动。倒装芯片封装中，将底部填充环氧树脂填充到芯片和基板之间的间隙中，以防止焊料凸点上的裂缝和热疲劳导致的电气故障。硅芯片和…
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1.本技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆辅助切割装置及晶圆压膜机。 背景技术： 2.晶圆(wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，成为有特定电性功能的集成电路产品。 3.晶圆必须经过压膜才能进行后续曝光、显影等工艺。在压膜过程中，先将单一芯片放置在用临时键合材料或热释放胶带(trt)处理过的衬底上，然后…
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